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電源完整(zhěng)性仿真 > PCB設(shè)計經驗(yàn):到底DDR走線(xiàn)能不能參(cān)考電源層(céng)啊?

PCB設計經驗:到底DDR走線能不能參考(kǎo)電源層啊?

發布時間:2025-10-20 17:27:45

雖(suī)然我看到過DDR的走線參考電源平麵也能(néng)調試成功(gōng)的案例,但(dàn)是依然不(bú)妨(fáng)礙我還(hái)想問:到底DDR走線能不能參考電源層啊?

高速先生成員--黃剛

一些通用的PCB設計經驗以及高速信號理論,都(dōu)告訴我們PCB上的信號最好都以地平麵為參考,尤其是高速走(zǒu)線,建議上下(xià)參考平麵(miàn)都(dōu)是地平麵是最(zuì)好的方法。但是產品(pǐn)類(lèi)型千千萬萬,導致疊層的設計也變化萬千,有時(shí)候為(wéi)了成(chéng)本減(jiǎn)小層數,這樣就可能會導(dǎo)致信號參考到電(diàn)源平麵的情況。當然(rán),作(zuò)為一名有經驗的設計工程師,還是會(huì)優先保(bǎo)證主(zhǔ)要的高速串行信號上下層都有完整的地平麵(miàn)做(zuò)參考。在保證重要的高速信號後(hòu),一般來說,要去犧牲不那麽高速的DDR模塊走線了。

 

 

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沒辦法,誰叫你(nǐ)速率沒有高速信號那麽高,關鍵是你還要用那麽多層(céng)去(qù)布線,所以隻能犧牲(shēng)DDR信(xìn)號了。那這樣就(jiù)尷(gān)尬了,很多PCB工程師覺得違背了他們一貫的設計原則,不敢(gǎn)下手去畫了。

 

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一般這(zhè)種PCB設(shè)計工程師定不了(le)的時候,高速先生就必(bì)須出來說話了。我們截取(qǔ)一段DDR的地址信號進行研究,疊層和走線情(qíng)況如下所示:

 

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這根地址信號走線在L3層(céng),參考L2L4層(céng),其中(zhōng)L4層是主要的參考平麵,是一個電源平麵,距離(lí)L3走線(xiàn)層(céng)是4milL2層雖然是地平麵,但是(shì)距離L3走線層卻有差不多16mil的距離。顯而易見,這根L3層的地址信號主要參考的是L4層的電源平麵(miàn)了。就像下麵這(zhè)個3D仿真(zhēn)模型展示的(de)一樣。

 

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要不。。。我們還是首先來看看如果是L3層的這根地址信號上下都是地平麵的常規情況的結果吧,也就是把上麵的電源平麵也換成地平麵,這樣L3層走線上下都是參考地平麵了,模型如下所示:

 

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我們先來看看阻抗(kàng)的情況,這根地址信號(hào)的走線是要求按40歐姆來設計,經過(guò)仿真後,我們看到上下都是(shì)地平(píng)麵設計(jì)的阻抗仿真結果非常接近40歐姆走線阻抗。

 

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那麽大家是不是很好奇,如果是參考電源平麵的case,阻抗是多少呢(ne)?會不會差很遠很遠啊!淡定,高速先生可以很(hěn)負責任的告訴大家(jiā),不會!如下圖所示,參考電源平麵後,阻抗也(yě)是差不多40歐(ōu)姆左右。

 

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兩者(zhě)一對比,其實發現,對於阻抗來說(shuō),參考電源平麵和參考地平麵其實差的不遠。

 

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那是不(bú)是隻要阻抗沒啥影響,也就代表(biǎo)著(zhe)DDR信號參(cān)考電源平麵完整沒有問題呢?當然。。。也不是啦!阻抗隻是其中的一個(gè)性能(néng)的表(biǎo)征手段,除此之(zhī)外,我們還是要關注(zhù)下插入損(sǔn)耗的情況。

首先(xiān),我(wǒ)們還是來看看常規的上下參考地平麵的(de)插入(rù)損耗結果。和我們(men)預料的一樣,參考地平麵時,插入損耗的結果從低(dī)頻一直(zhí)到高頻都是(shì)非常線性的,完全沒得問(wèn)題!

 

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這個時候大家是不是很期待(dài),參考電源平麵的插入損耗曲線長啥樣呢?按道理說,阻抗和參考地平麵差別很小,預期插入損耗的結果也不(bú)會偏差很大吧?

 

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這次可能又要(yào)讓大家(jiā)失望了,參考電源平麵的插入損耗結果是下麵這個熊樣的哦!

 

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啥啊,高(gāo)頻波動那麽大,那麽差啊,這壓根就不行啊!你說(shuō)對了,高頻的確不行,但是別忘了,我們DDR模塊的速率,以DDR4為例,一般地(dì)址信號的速(sù)率也就是1.2Gbps1.6Gbps,所以理論上我們關注(zhù)前麵3GHz左右的頻段就可以了。後麵(miàn)的高頻部分都已經是DDR運(yùn)行頻率(lǜ)的(de)3倍頻之(zhī)後了,能量(liàng)其實(shí)就很少(shǎo)了。

咦,如(rú)果按照這個觀點(diǎn)再對比參考地平麵和參考電源(yuán)平麵的插入損耗(hào)結果的話,在3GHz以(yǐ)前倒是差得(dé)不大哦。這也就是(shì)為什麽我們的確能看到有的產品的DDR模塊的地址控製信號參考電源平麵也能跑到額定速率的原因了。。。

 

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當然,上麵隻是從比較理想的仿真結果上來(lái)得出的結論。實際上也要考慮到加工的因素,包括電源平麵也會存在噪聲影響(xiǎng)的因素(sù),還有就是不同(tóng)設計地址信號走線長度不同,參考的電源網絡不同,包括(kuò)電容配置不同等眾多(duō)因素。另外為什麽在很多非常規(guī)設計中,一般(bān)隻看到地址控(kòng)製信(xìn)號參考電源平麵的設計,很少(shǎo)看到數據信號參考電源平麵呢,那是(shì)因為數據信號的速率更高(gāo),3倍頻下可能就到了5-6GHz以上(shàng)了,這個時候從上麵的插入損耗曲線來看,差異就變得慢(màn)慢明顯了。總而言之(zhī),高速先生的(de)觀點是並不完全拒絕DDR走線參考電源平麵的可行性,但是遇到這樣的非常規設計,我們需要更謹慎的去對待它,最(zuì)好有一些仿真數據的支撐來確認更大(dà)的成功率才行(háng)!

 

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