當前電子係統正向高速率、高密度、高集成度方向快（kuài）速發展，信號傳輸速率邁入數十（shí）Gbps甚至毫米波頻段。傳統PCB采用的普通信號（hào）過（guò）孔+環（huán）繞接地過孔的柵（shān）欄式屏蔽結構，存在（zài）屏蔽不連續、回流路徑冗長、阻抗波動大等固有缺陷，高頻下信號反射、串擾、輻射損耗問題嚴重，極大限製了高速接口的傳輸性能。同（tóng）軸過孔新工藝基於成熟HDI積層工藝改（gǎi）良，結（jié）構對稱、阻抗可控、屏蔽完整，能夠有（yǒu）效解決高頻高（gāo）速場景下的信號完整性難題，現已（yǐ）成（chéng）為高端高速PCB設計的關鍵新技術。

一、PCB同軸過孔新工藝結構與製作方法

（一）基本結構原理

同軸過孔複刻同軸電纜的三層物理結構，主要由中心（xīn）信號導體、中間（jiān）絕緣介質層、外層環形接地屏蔽壁組成。中心金屬化過孔用於傳輸高速信號，中間均勻介質層實現電氣隔離與阻抗匹配，外（wài）層連續接地銅（tóng）壁形成全封閉屏蔽腔體。該（gāi）結構具備高度對稱性，可精準控製單端50Ω、差分100Ω等標準特性阻抗，從結構上杜絕高頻電磁（cí）泄漏與阻抗突變問題，示意圖如下所示：

（二）新工藝製作（zuò）流程（chéng）

同軸（zhóu）過孔新工藝依托現有HDI高階板（bǎn）量產設備，無需新增特殊工藝，量產性強（qiáng）、良率高，核（hé）心製作流程如下：

第一，同心激光開槽。采用精密激光鑽孔工藝，同步加工中心信號小孔與外圍環形屏蔽槽，嚴格控製內外結構同心度，保證整（zhěng）體結構對稱，從（cóng）源頭規避阻抗偏移問題。

第二，絕緣介質填充。對（duì）中心孔與環形屏蔽槽之間的間隙進行低損（sǔn）耗樹脂填充，通過真空壓（yā）合工藝消除氣泡，保（bǎo）證絕緣介質厚度均（jun1）勻穩定，為阻（zǔ）抗一致性提供保障。

第三，分步（bù）脈衝電鍍（dù）。分別對（duì）中心信號孔、外圍屏蔽（bì）槽進行沉銅與加厚電鍍，形成完整的信號導通（tōng）導體與（yǔ）連（lián）續環形接地屏蔽壁，同（tóng）時（shí）實現屏蔽壁與PCB各層地平麵可靠導通。

第四，層壓蝕刻與後處理。完（wán）成板層（céng）壓合、線路蝕刻、阻焊（hàn）、表麵處理等（děng）常規（guī）製程，可根據Stub長度選擇性搭（dā）配背（bèi）鑽工藝，進一步優化高頻傳（chuán）輸性能。

（三）工藝核心特點

相較（jiào）於傳統柵欄式地孔結構，新型同軸過孔采用（yòng）一體化環形屏蔽設計，無屏蔽縫隙，屏蔽（bì）完整性大幅提升（shēng）；同時大幅減少BGA區域冗餘接地過孔，節約布線資源，適（shì）配超高密度芯片引（yǐn）腳布局，兼容（róng）二階、三階（jiē）HDI高階板量產。

二、同軸過孔SI信號完（wán）整性性能優勢

（一）阻抗連續穩定（dìng），大幅抑製信號反射

傳（chuán）統過孔（kǒng）受反焊盤不對稱、地（dì）孔分布稀疏影響，高（gāo）頻阻抗波動大，極易（yì）產生信號反射、波形畸變。同軸過孔結構（gòu）對稱、介質均勻，全程阻抗波（bō）動極小，TDR阻抗曲線平滑，有效降低回波（bō）損（sǔn）耗，改善高速信號眼圖張開度，提升信號傳輸質量。

（二）全（quán）封閉屏（píng）蔽（bì）結構，串擾抑製能力（lì）優異（yì）

同軸環形接地壁形成獨立電磁隔離腔（qiāng），將電磁場約束在結構內（nèi）部，徹底（dǐ）解決傳統柵欄地孔縫隙漏（lòu）磁導致（zhì）的通道間串（chuàn）擾問題（tí）。在多通（tōng）道高密度差分並行傳輸場景下，可顯著降低相鄰信號間高頻（pín）串（chuàn）擾，滿足PCIe7.0、高速差分總線的嚴（yán）苛隔離要求。

（三）高頻損耗低，支持超寬帶高速傳輸

該工藝無傳（chuán）統結構的電磁（cí）輻射損耗與縫隙損耗，高頻插入損耗遠低於普通（tōng）過孔，可支持毫米波級超寬帶信號傳輸，帶寬（kuān）上限遠高於傳統通孔結構，能夠滿足未來超高速總線的迭（dié）代需求。

（四）回流路徑最優，顯著改善EMI性（xìng）能（néng）

同軸接地屏（píng）蔽壁與各層地平麵緊密連通，信（xìn）號回流路徑最短、環路麵積最小，有效抑製共模噪聲與高頻輻射幹擾，降低整機EMI超標風險，減少（shǎo）後期電磁兼容整改成本。

（五）優化電源完整性，提升係統穩定性

連續大麵積接地屏（píng）蔽結構可優化（huà）PDN電源分配網絡阻抗（kàng），削弱高速信號與電源層的耦合噪聲，降低高頻電源紋波，大幅提升高速高密度係統的供電穩（wěn）定性與運行可靠性。

三、行業應用（yòng）前景（jǐng）

（一）AI算力服務器與高端主機

在AI服務（wù）器、GPU算力板（bǎn）、HBM高帶寬內存、高速交換板等核心場景中，高密度引腳、超高帶寬接口（kǒu）對信號質量要求極高（gāo）。同軸過孔可完美適配NVLink、PCIe 6.0/7.0等超高速互連需求，是下一代算力硬（yìng）件的核心優選工藝。

（二）高速通信與毫米波射頻領域

可廣泛應用於800G、1.6T高速光模塊、5G/6G毫米波相控陣雷達、高頻（pín）射頻板等產品，替代傳統複雜屏蔽結構，簡化射（shè）頻（pín）布（bù）線設計，提（tí）升高頻信號穩定性與抗幹擾能力。

（三）高速存儲與工（gōng）業控製設備

適配DDR5、高（gāo）速SSD、工業高速SerDes板卡，憑借低誤碼率、強抗幹擾、寬溫穩定的特性，滿足（zú）工業設備長期連續運行、複雜電磁環境下的（de）傳輸要求。

（四）軍工航天與精密醫療設（shè）備

針對雷達探測、衛星通信、高精度醫療成像等（děng）對電磁兼容性、信號精（jīng）度、可靠性要求嚴苛的場景，同軸（zhóu）過孔優（yōu）異的屏蔽（bì）性能可有效抵禦外界電磁幹擾，保障設備高精度穩定工作。

（五）先進Chiplet封裝載板

在2.5D/3D先進封（fēng）裝、芯粒互連基板中，微小尺寸同軸盲埋孔可（kě）滿足高密度、超短距高速（sù）互連需求，解決多芯粒並行傳輸的信號完整性瓶頸，適配先進封裝（zhuāng）產業發展趨勢。

PCB同軸過孔新工藝基於成熟HDI積層技術迭代升級，從物理結構上（shàng）徹底攻克了傳統（tǒng）過孔高頻阻抗波動、串擾輻（fú）射、信號（hào）損耗（hào）大等行業難題，在信號完（wán）整性、電磁兼容性和高密度布線層麵具備全麵優勢，完美適配AI算力、毫米波通信、Chiplet封裝等高端領域的高速傳輸需求，是當下高端PCB迭代升（shēng）級的核心工藝。依托高階HDI量產實力，色多多网站PCB板廠可精準落地同軸過孔精密製程，嚴控同（tóng）心度、介（jiè）質填（tián）充與（yǔ）電鍍工藝（yì）精度，搭配背（bèi）鑽、阻抗匹配（pèi）等成熟工藝，實現高精（jīng）度、高（gāo）良率量產，為（wéi）各類高速精密硬件提供可靠的PCB製程解決方案（àn），助力（lì）高端電子產業技術升級。

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